我国已经制造出的光刻机分为低端的和中端的 2 类，工艺制程当然不同，又可分为已经量产的和尚未量产的 2 种，工艺制程因此就分为已经实现和尚未实现 2 种，而无论那一类、哪一种，都属于本国研制这同一类、同一种，一国研、一国制。
上海微电子已经先后制造出了低端和中端的光刻机。已知，工艺制程分别是90nm和28nm，其中，90nm工艺制程从2016年开始就能、就在实现，能、在制造出良品率达到业界标准的90nm芯片；28nm工艺制程还得等一段时间才能实现，才能制造出良品率达到业界标准的28nm芯片。光刻机整机下线、量产了才标志着既定工艺制程目标的实现，也就是所掌握的某一端光刻机部件制造和整机集成技术转化成了同一端的成熟可用整机产品。不同于国产90nm光刻机，国产28nm中端光刻机还没有下线、量产，即还不是一个可用的产品，更不是已经成功应用于芯片制造的成品，也就还谈不上现在就“能实现多少nm工艺制程”，但完全可以说，必定很快就能实现28nm工艺制程，还能实现7nm工艺制程呢，能抵达DUV光刻的极限，中芯国际买去、用上就能实现，跟已经买去、用上的荷兰ASML DUV光刻机一样，只是制造出的7nm芯片良品率一样达不到业界标准，好在28nm现在是、将长期是主流的成熟工艺制程，无论在全球还是在国内都是最主要、最长久的需求，当然，仅仅实现了成熟工艺或仅仅实现了以成熟工艺为主，就表明严重落后于人，不仅仅也不主要是落后在智能手机领域。
重要的是国产光刻机在技术上实现了28nm工艺制程。在技术上实现了，在产品上实现就只是个时间问题了，并且是个短时间就能实现的问题，一两年的事，当前遇到了多大的难关也终能攻克。当在产品上也实现了28nm工艺制程，就标志着国产光刻机在技术上和产品上都实现了由低端到中端的转变、升级，并开始向高端的技术和产品进军，转变和升级的现实作用固然大，长远意义更大，上海微电子成立20来年就向研制高端光刻机进军了，跟成立于1984年的ASML在2005年向EUV光刻机的进军同样，惊人的相似！的确，按现在仅在技术上实现了28nm、中端，与已经实现了5nm、顶级的ASML差距还是很大，甚至可以用“惊人”来形容，但有理由相信，后出发、进军光刻机领域达18年的上海微电子也能同在2015年制造出7nm极紫外光刻机的ASML一样，历经十年终于磨成一剑，也站上高端，到时候，就能为以中芯国际为代表的国内光刻机制造企业制造出良品率达到业界标准的高端而且国产的芯片、研发出更高工艺制程的芯片制造技术提供最为关键的国产工艺设备，岂止能让华为海思的高端麒麟芯片有了稳定可靠的代工厂，进而有了而且是永有了再展雄风的机会？！而到时候，上海微电子剩下的问题只是向同一端上的更高工艺制程光刻机进军了，就像ASML向5nm工艺制程进军那样。
更重要的是国产光刻机在技术上和产品上都实现了自主可控！从90nm工艺制程光刻机下线、量产的那一刻起就实现了，国内光刻机部件和整机制造企业自2007年被断供零部件起就走上了自主研发、自主制造的道路，上海微电子是在成立5年之后走上的！不错，是被逼无奈、被动走上，却又是毅然选择、主动走上，而且是一直走在，并且走通了，没有让断供的阻断意图得到实现；还走顺、走高了，如今即将推出的28nm光刻机尽管不过才是中端的、并非现实可用的产品，但技术却是自主拥有、产品却是自主制造，欧美国家谁都卡不了脖子，只因为之前什么都没有“供”，也就没啥可“断”的，倒是有、也已经用上了提前几年大卖中端光刻机这个阻遏办法！只不过是个曾经真的“有效”的办法，历史不会重演。倒是，当年的断供，阻遏竟然达9年，90nm光刻机量产的进程被大大延迟，是个足够搞出中端光刻机的时间段，差不多能搞出高端的光刻机了！也“幸好”当年被断供零部件，结果是90nm工艺制程光刻机的国研技术和国产部件与国产整机全都搞出来了，被断供变成了自续供，关键是一国自我接连供应出了真正意义上的国产！而直到现在，国内芯片制造企业的龙头老大中芯国际在高端芯片代工和高端技术研发上岂止受制于ASML的EUV光刻机？同时还受制于美国的其它工艺设备嘛，国内其他工艺设备制造厂在中端上还没有实现真正意义上的国产，而中芯国际如今能买到ASML的DUV光刻机则是在国产中端光刻机必定很快推出的情况下。其它工艺设备在自主上的难度也都比光刻机低得多啊，与已经实现自主的光刻机相比，差距是不是够大？相关企业应该是都既感到了汗颜，又都受到了激励。那么，会不会有感受同样的国内芯片设计企业呢？荷兰、ASML又是个什么样的感受？本国、本身不过才拥有10%的核心技术，致使制造出的DUV、EUV光刻机卖不卖给中国、什么时候卖给，都只能主要听从于美国，岂止是被动！成立达37年了，几时曾自主过？与我国、与我国成立19年的上海微电子相比，差距是不是更大？！
